STMicroelectronics 'MASTERGAN1 သည်ကမ္ဘာပေါ်ရှိအထုပ် (SiP) တွင် GaN HEMT စနစ်နှင့် MASTERGAN ပလက်ဖောင်း၏ပထမဆုံးဒြပ်စင်ပါ ၀ င်သောပထမ ဦး ဆုံး ၆၀၀ V တံတားတစ်ဝက်မောင်းသူဖြစ်သည်။ MASTERGAN1 သည်ကျစ်လစ်သိပ်သည်းပြီးမြင့်မားသောပါ ၀ င်သည့်သိပ်သည်းဆစွမ်းအင်ထောက်ပံ့မှုကိုအကောင်အထည်ဖော်ရန် MOSFET ခလုတ်များပေါ်တွင်အခြေခံထားသော power supply ထက်လေးဆသေးငယ်သော်လည်း၊ မြင့်မားသော switching ကြိမ်နှုန်းနှင့်ယာဉ်မောင်းနှင့် GaN ခလုတ်နှစ်ခုလုံးအတူတူပင်တွင်မြင့်မားသောပေါင်းစည်းမှုကြောင့် အထုပ်။ ၎င်းသည်ကြံ့ခိုင်မှုကိုလည်းပေးသည်။ အော့ဖ်လိုင်းကားမောင်းသူကိုအမြန်၊ ထိရောက်သောနှင့်လုံခြုံသောမောင်းနှင်မှုနှင့်အပြင်အဆင်လွယ်ကူစေရန် GaN HEMT အတွက်အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ သတိပညာရှိသော GaN ခလုတ်များကိုစီမံခန့်ခွဲခြင်းသည်ခက်ခဲနိုင်သည်။ သို့သော် embedded driver သည် power supply design ကိုရိုးရှင်းစေရန် GaN ခလုတ်များကိုစီမံသည်။
ပုံ | ထုတ်လုပ်သူအပိုင်းနံပါတ် | ဖော်ပြချက် | လက်ရှိ - ထောက်ပံ့ရေး | ဗို့အား - ထောက်ပံ့ရေး | Operating အပူချိန် | ရရှိနိုင်အရေအတွက် | အသေးစိတ်ကြည့်ရန် | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MASTERGAN1 | မြင့်မားသော DENSITY ပါဝါမောင်းနှင်မှု - အမြင့် | 800µA | 4.75V ~ 9.5V | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 451 - ချက်ချင်း |